دیتاشیت 2N5551 C

2N5551 C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N5551 C
حجم فایل 65.073 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت 2N5551 C

2N5551 C Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: HL(Haolin Elec) 2N5551 C
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 625mW
  • Transition Frequency (fT): 80MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 150@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,5mA
  • Package: TO-92
  • Manufacturer: HL(Haolin Elec)

دیتاشیت محصولات مشابه